मोटर नियंत्रक प्रौद्योगिकी विकास की प्रवृत्ति
4.1 उच्च सुरक्षा
टॉर्क सेफ्टी: एसबीसी + एमसीयू मॉनिटरिंग आर्किटेक्चर, हाई-वोल्टेज बैकअप पावर सप्लाई, सेफ्टी-रिलेटेड ड्राइवर चिप, आईजीबीटी फॉल्ट का व्यापक डायग्नोसिस, इंडिपेंडेंट सेफ्टी शटडाउन पाथ, रिजोल्वर्ड सिग्नल डिकोडिंग ऑफ इंडिपेंडेंट एडीसी चैनल, हाई-क्वालिटी टू-चैनल हाई- वोल्टेज सैंपलिंग सर्किट, अलग-अलग गुणवत्ता वाला तीन-चरण वर्तमान हॉल सेंसर लागू किया गया है।
4.2, उच्च ईएमसी रेटिंग
अब दूसरी पीढ़ी के उत्पाद वर्ग 3, वर्ग 4 कर सकते हैं, और बाद में EMC class5 कर सकते हैं, इसके लिए आवश्यक उपाय करने की आवश्यकता है ताकि वे छोटे-छोटे और कम लागत वाले हों। EMC कोर सफलता नवाचार तैनात है: बेहतर फ़िल्टरिंग समाधान के साथ, कम लागत वाले EMC डिवाइस की लागत उच्च स्तर की EMC आवश्यकताओं को पूरा करती है। अगर EMC को class5 की आवश्यकता होती है, तो वॉल्यूम अनुपात 5% से कम और लागत 50RMB से कम है।
विकास अनुसंधान सामग्री में शामिल हैं: "इलेक्ट्रॉनिक नियंत्रण + मोटर" प्रणाली ईएमसी समाधान, कोर डिवाइस ईएमसी विशेषताओं अनुसंधान और समाधान, "इलेक्ट्रॉनिक नियंत्रण + मोटर" प्रणाली ईएमसी सिमुलेशन मंच।
4.3, उच्च दबाव
मुख्य रूप से यात्री कारों के लिए, वर्तमान वोल्टेज आमतौर पर लगभग 300-400 वी है, और भविष्य में उच्च वोल्टेज के लिए विकसित हो सकता है। सुपर फास्ट चार्जिंग और बिजली की मांग में वृद्धि इलेक्ट्रिक वाहनों के उच्च वोल्टेज के लिए आंतरिक ड्राइविंग बल हैं। यदि चार्जिंग वोल्टेज 400V से 800V तक बढ़ाया जाता है, तो चार्जिंग समय को आधे से छोटा किया जा सकता है। इस टुकड़े को उन्नत किया जाना चाहिए, भविष्य में इलेक्ट्रिक वाहन लोकप्रिय हो जाएंगे, और उच्च वोल्टेज विकास की प्रवृत्ति है। इस प्रवृत्ति के अनुरूप, इनवर्टर का डिजाइन 650V IGBT डिजाइन से बढ़कर 750V और 1200V IGBT हो जाएगा।
4.4, उच्च शक्ति घनत्व
पैकेजिंग के दृष्टिकोण से, पारंपरिक ईज़-टू-यूज़ मॉड्यूल का उपयोग वर्ग ईंटों, अल्ट्रा-पतली आकृतियों और अंत में नंगे डीबीसी / चिप रूपों के रूप में विकसित हुआ है। पैकेज की मात्रा को सब-असेंबली के साथ छोटा किया जाएगा। 2018 में या भविष्य में, यह 2013 वॉल्यूम के आकार के 1/10 तक पहुंच सकता है।
चिप आयाम से उच्च दक्षता और उच्च परिचालन जंक्शन तापमान, जैसे कि E3 चिप, ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान 150 ° C है, EDT2 चिप जंक्शन तापमान 175 ° C तक बढ़ाया जा सकता है, SIC सिलिकॉन कार्बाइड चिप जंक्शन तापमान 175 से अधिक हो सकता है ° C, यदि E2 चिप बिजली नुकसान 1 है, और बाद के दो बिजली नुकसान क्रमशः 0.8 और 0.3 से 0.5 के बीच हैं। SiC उपकरणों का उपयोग स्विचिंग नुकसान को कम कर सकता है, सिस्टम दक्षता में सुधार कर सकता है, मृत समय को कम कर सकता है और सिस्टम आउटपुट बढ़ा सकता है। बैटरी पैक और नियंत्रक के समग्र विचार से, कुल लागत में 5% की कमी आई, और पूरे वाहन के परिप्रेक्ष्य से क्रूज़िंग रेंज में 10% की वृद्धि हुई। SiC उपकरणों का उपयोग करके समग्र दक्षता में सुधार किया जा सकता है।
उपकरणों के विकास और पैकेजिंग प्रौद्योगिकी के विकास के साथ, लागत भविष्यवाणी धीरे-धीरे कम हो जाएगी।
उत्पाद आयामों के संदर्भ में, हिप्पोकैम्पस की आपूर्ति करने वाला नियंत्रक 18kW / L प्राप्त कर सकता है, और दूसरे यात्री कार नियंत्रक की शक्ति घनत्व 26kW / L हो सकती है। नवीनतम यात्री कार नियंत्रक 35kW / L कर सकते हैं। भविष्य में, SiC सामग्री से 45 kW / L की शक्ति घनत्व प्राप्त करने की उम्मीद की जाती है।
4.5, डिवाइस एकीकरण और अनुकूलन
कार्यात्मक रूप से सुरक्षित, अत्यधिक एकीकृत:
कार्यात्मक सुरक्षा, उच्च आवृत्ति:
ड्राइव आइसोलेशन IC: कार्यात्मक सुरक्षा, उच्च एकीकरण:
मॉडल कैपेसिटर में ईएमसी को एकीकृत करते हुए, मॉडल कैपेसिटर को अत्यधिक अनुकूलित किया गया है। उदाहरण के लिए, कंट्रोलर की ईएमसी वाई कैपेसिटर, एक अलग बोर्ड, भविष्य में एकीकृत किया जाएगा। यह स्वयं मोटर नियंत्रक है, और भविष्य की प्रणाली भी एकीकरण की ओर बढ़ रही है।
यदि आप पावर टूल मोटर खरीदना चाहते हैं, तो कृपया पॉवर टूल डीसी मोटर पर ध्यान दें।
